Si24R2F

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+12dBm,2.4GHz 单发射内置NVM,QFN20封装

产品概述

工作频段 2.4GHz
关断电流 1uA
发射功率/电流 +12dBm(最高) 40mA
+7.5dBm 25.5mA
+1dBm 17mA
0dBm 16.8mA
-7dBm 12.5mA
数据速率 2Mbps 1Mbps 250Kbps
NVM可编程次数 64次
电源电压 2.1-3.6V
调制方式 GFSK/FSK
待机电流 20uA
接口协议 最高10MHz四线SPI接口
快速启动时间 ≤130uS
数字IO电压 1.9V - 5.25V
外接晶振 16MHz±60ppm
其它 设计简单,无须用户编程
3.3V编程电压
内置3KHz RCOSC和硬件Watchdog
内置64次可编程NVM存储器
支持发射数据加密
发射数据硬件中断输出
具有超低功耗自动发射功能
具有低电压自动报警功能
具有温度监测和报警功能
具有防拆卸报警功能
具有按键发射功能
集成防冲突通信机制
自动发射模式下,最多支持4个不同信道发射
兼容 Si24R1/Si24R2/Si24R2E 发射功能
展开

QFN20 / 4*4*0.8mm

Si24R2F是一款2.4GHz超低功耗有源RFID标签系统的SoC单芯片,集成嵌入式2.4GHz无线射频发射器模块、64次可编程NVM存储器模块以及自动发射控制器模块等。为满足有源RFID市场发展的新需求,在Si24R2E的基础上进行的升级改进,最大发射功率增加为+12dBm,芯片工作的平均功耗非常低,关断电流仅500nA。

Si24R2F具有更低的系统应用成本,不需要外部MCU,仅少量外围无源器件即可组成一个有源RFID无线数据发射系统。

Si24R2F支持4通道轮询发射,4个信道可以独立轮流发射不同的数据,从而增加系统卡片容量。同时支持多种加密方法,在芯片内部组包之前,可以先对负载数据添加用户私有校验、使用异或校验和DES加密。

Si24R2F 芯片图

脚位图

典型应用原理图

开发测试套件

应用领域

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Si24R2F
QFN20 / 4*4*0.8mm
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Si24R2F Demo板
37mm*26mm
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相关产品

型号 收/发 频段 最高发射功率 封装 NVM可编程次数 睡眠电流 数据速率 接收灵敏度
Si24R1 收发一体 2.4GHz +7dBm QFN20 / 1uA 250K,1M,2M -83dBm@2Mbps
Ci24R1(SOP8) 收发一体 2.4GHz,BLE +11dBm SOP8 / 2uA 250K,1M,2M -80dBm@2Mbps
Ci24R1(DFN8) 收发一体 2.4GHz,BLE +11dBm DFN8 / 2uA 250K,1M,2M -80dBm@2Mbps
Si24R2 单发射 2.4GHz +7dBm QFN20 / 300nA 250K,1M,2M /
Si24R2E 单发射 2.4GHz +7dBm QFN20 128 700nA 250K,1M,2M /
Si24R2F+ 单发射 2.4GHz +12dBm QFN20 64 1uA 250K,1M,2M /
Si24R2H 2.4G发射&125K接收 2.4G,125K,BLE +14dBm QFN32 32 1uA 250K,1M,2M 125K接收60uVRMS

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